UV剥离胶带 SELFA™
凭借高耐热性及特殊剥离技术来
实现崭新的半导体工艺「SELFA™」
什么是SELFA™?
SELFA™是一种优秀的胶带，具有高粘合性，并且可以轻松剥离。通过UV照射，胶带与被粘体之间会产生气体，使粘合力降为零，可轻松剥离。
研磨得很薄的晶圆等也可以进行无损加工。
在什么时候使用SELFA™?
主要在半导体晶圆加工、芯片制造等过程中会用到SELFA™。目前，我们有三种型号，分别适用于封装、晶圆支撑、电镀等各种工艺。
根据具体用途，有单面、双面两种形态以供选择。
【SEKISUI】半导体制程临时键合UV胶带「SELFA™」
SELFA™核心技术
我在找高耐热的临时键合材料
耐热性
- 业界压倒性的260°C耐热性能
- 适用于回流焊等工艺
担心对晶圆产生损伤
轻剥离
- 通过产生气体实现无损剥离
- 适用于超薄元件
我想消除热工序中的残渣
低残胶
- 以Pre UV技术实现无残渣剥离
- 更灵活的工艺条件
SELFA™剥离技术
SELFA™剥离演示视频
敬请观赏其他公司所没有的，可从纤细的晶圆表面实现轻松剥离的先进技术展示。
分段式UV照射
1Pre UV固化
传统的UV胶带在热工序中粘合强度会上升，并且在照射UV后也不会下降太多，导致其不易剥离，且多会存在残渣问题。
而SELFA™是先照射Pre UV使胶层固化，粘合强度显著降低，并且在之后的热工序中粘合力的上升幅度也非常小，因而更容易剥离，且大幅度减少了残渣问题。
2产生气体
在照射Post UV的过程中，SELFA™和玻璃载体之间会产生氮气。所产生气体的面积会不断扩大，最终扩散到整面晶圆范围。
经过Post UV照射后，只需微乎其微的力量便可轻松地将玻璃载体分离开来。
SELFA™与液体材料的工艺对比
通过使用SELFA™，可以大幅度缩短贴合、剥离等工序的所需时间。
传统液体
材料
SELFA™
SELFA™产品阵容
SELFA™性能对照表
| 产品/条件 | 双面耐热 SELFA™ HW系列 | 单面耐热 SELFA™ HS系列 | 单面自剥离 SELFA™ MP系列 | |
|---|---|---|---|---|
| 耐热性 | 260°C / Reflow | 250°C / Reflow | 80°C / 30min. | |
| 220°C / 2hr | 220°C / 2hr | |||
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粘合强度 (N/英寸) Pre UV前 → 后 |
晶圆面 | SUS: 10.5 → 0.01 | SUS: 3.83 → 0.08 | SUS: 17.5 → 0 |
| Si: 0.08 → 0.02 | Si: 0.06 → 0.02 | Si: 16.1 → 0 | ||
| - | Cu: 4.51 → 0.10 | Au: 13.5 → 0 | ||
| 玻璃面 | Glass: 0.06 → <0.01 | - | - | |
使用案例和应用
CMOS图像传感器
- 双面耐热
SELFA™ HW
层叠型记忆体
- 双面耐热
SELFA™ HW - 单面耐热
SELFA™ HS
通信模块
- 单面耐热
SELFA™ HS
应用处理器（FOWLP）
- 双面耐热
SELFA™ HW - 单面耐热
SELFA™ HS
内置元件基板
- 双面耐热
SELFA™ HW - 单面耐热
SELFA™ HS - 单面自剥离
SELFA™ MP
功率半导体
- 单面自剥离
SELFA™ MP
双面耐热 SELFA™ HW系列
特征：
- 耐热性
- 耐药性
- 低残胶
- 轻剥离
实现干膜式的干法临时键合工艺，提升生产性
工艺
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测试结果
Ⅰ．镜面晶圆BG后的TTV测试
测试方法
TTV分布
【平均】 厚度:24.4μm/TTV:2.9μm
| n=1 | n=2 | n=3 | n=4 | n=5 |
|---|---|---|---|---|
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| Thk:25.1μm TTV:3.4μm |
Thk:24.5μm TTV:2.8μm |
Thk:24.7μm TTV:2.9μm |
Thk:24.3μm TTV:2.7μm |
Thk:23.4μm TTV:2.9μm |
- 通过本公司独有的“Pre UV技术”提供业界最高水准的TTV控制性能。
- <3μm@12” 晶圆
Ⅱ．热工序后的残渣测试＜烤箱剥离测试＞
要点:
- 耐热性
- 设备和条件
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- 制造商: ETAC
- 型号: CSO-603BF
- 温度: 180-220°C
- 时长: 1~2小时
- 晶圆样本
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8inch Bump TEG Wafer
结果
| 180°C | 200°C | 220°C | |
|---|---|---|---|
| 1小时 |  |
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| 2小时 |  |
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在220°C下加热2小时并剥离后，TEG晶圆上未发现残留物。
单面耐热 SELFA™ HS系列
特征：
- 耐热性
- 耐药性
- 低残胶
在回流、CVD 和溅射等热处理过程中支撑和保护器件。
工艺
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耐热性测试 (气泡)
加热板测试
- 样本
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- 设备・条件
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- 制造商: NINOS
- 型号: ND-3H
- 温度: 180-250°C
- 时长: 30-180分钟
测试结果
加热相应时间后的剥离性能
| 30分钟 | 60分钟 | 120分钟 | 180分钟 | |
|---|---|---|---|---|
| 180°C | OK | OK | OK | OK |
| 220°C | OK | OK | OK | OK |
| 250°C | OK | OK | OK | OK |
- 以上数据为实测值，非保证值。
加热后的粘合强度
加热后的晶圆状态
加热板测试结果证实，在热工序中并没有出现气泡，并且在220°C/180分钟后的剥离过程中没有残留物产生。
单面自剥离SELFA™ MP系列
特征：
- 轻剥离
用于在电镀过程中保护晶圆背面。UV照射会使其产生气体，可轻松从被粘物上剥离。
无电解电镀工序中的晶圆保护技术(无电解电镀法)
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在电镀过程中具有优异的耐强酸、耐强碱性能，保护晶圆，并可以轻松剥离。
气泡和残留物测试结果
要点：
- 轻剥离
镀Au晶圆
没有气泡，边缘没有剥离
有机残留物检测@8'晶圆
将SELFA™ MP剥离后，未观察到残留物
使用双面SELFA™实现工艺自动化
使用SELFA™实现流程自动化，保持环境清洁
在使用SELFA™的过程中，从贴合到剥离可实现完全自动化。为提高生产效率做贡献。
设备介绍
- ①晶圆键合设备
- Takatori Corporation
WSM-200B
- 晶圆解键合设备
- Takatori Corporation
WSR-200
玻璃载体可重复使用
再利用能力是以往工艺的2倍，更利于SDGs
玻璃载体的再利用
使用SELFA™，玻璃表面不会发生凹陷，更利于回收再利用。
| SELFA™ | 液体 | |
| 再利用次数 | 20次以上 | 10次以上 |
| 解键合方法 | UV灯 UV激光 |
各种激光 |
| 再利用方法 | 主要是溶剂清洗 | 溶剂清洗、研磨等 |
| UV工序中的玻璃凹痕 | 无 |
有 |
| 效果 |  整面UV照射，玻璃无损伤 |
 镭射照射，玻璃表面会积累伤痕 |